Temperature dependence of neutron-induced soft errors in SRAMs

机译：SRAM中中子引起的软错误的温度依赖性

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Bagatin M; Gerardin S; Paccagnella A; Andreani C; Gorini G; Frost CD;
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年度 2012
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1. Temperature dependence of neutron-induced soft errors in SRAMs [J] . M. Bagatin, S. Gerardin, A. Paccagnella, Microelectronics reliability . 2012,第1期

机译：SRAM中中子引起的软错误的温度依赖性
2. Neutron-induced ~10B fission as a major source of soft errors in high density SRAMs [J] . Robert C. Baumann, Eric B. Smith Microelectronics & Reliability . 2001,第2期

机译：中子引起的〜10B裂变是高密度SRAM中软错误的主要来源
3. Impact of Scaling on Neutron-Induced Soft Error in SRAMs From a 250 nm to a 22 nm Design Rule [J] . Ibe E., Taniguchi H., Yahagi Y., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2010,第7期

机译：缩放对250nm至22nm设计规则中SRAM中中子感应软误差的影响
4. A new soft-error phenomenon in ULSI SRAMs-inverted dependence of soft-error rate on cycle time [C] . Murakami, S., Wada, . 1990

机译：ULSI SRAM中的一种新的软错误现象，反转了软错误率对周期时间的依赖性
5. Modeling and mitigation of soft errors in nanoscale SRAMs. [D] . Jahinuzzaman, Shah M. 2009

机译：建模和缓解纳米级SRAM中的软错误。
6. Analysis of temperature dependence of background phase errors in phase-contrast cardiovascular magnetic resonance [O] . Julia Busch, S Johanna Vannesjo, Christoph Barmet, 2014

机译：相衬心血管磁共振中背景相位误差的温度依赖性分析
7. Temperature Dependence of Neutron-induced Soft Errors in SRAMs [O] . Bagatin M, Gerardin S, Paccagnella A, 2012

机译：SRAM中中子引起的软错误的温度依赖性
8. Soft-Error Susceptibility of a CMOS RAM: Dependence Upon Power-Supply Voltage [R] . Kolasinski, W. A., Koga, R., Blake, J. B., 1982

机译：CmOs Ram的软错误敏感性：依赖于电源电压

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